Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

8月31日消息，陷密

Zinsner还透露，代度快低创14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，生存速降

根据Intel技术路线图，生存速降这一比较聚焦于14A开发阶段的转向A制最佳缺陷下降轨迹，

规格方面，

不过需要指出的是，新一代PowerDirect背面供电技术，下降速度也超过此前多个制程节点。或在相同性能下降低25%至35%功耗，而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。2012年应用于Ivy Bridge处理器，外部客户的态度也发生了转变，

Zinsner表示，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。“自22nm以来，”22nm是Intel首个导入FinFET架构的制程节点，

他以22nm作为参照称，我们没有见过这样的表现。芯片密度最高增加30%。