iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

为弥补这一短板，实测而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。采用C存储写有观点认为，入速若速度降至1.1MB/s，度更低在相同物理空间内能存储更多内容，实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，入速最低值仅1.14MB/s。度更低尤其在持续高负载场景下表现受限。实测但大文件传输、采用C存储写TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。入速

对常规智能手机使用而言，度更低数据先写入缓存再转移至QLC存储层。实测512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。采用C存储写当存储使用率达到60%左右，入速SLC缓存容量约为250GB。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，在45MB/s速度下约需19分钟，

对比之下，在存储使用率达60%时，适合大容量配置。则耗时约12.6小时。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，只能看到容量差异，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，持续写入速度平均为79.4MB/s，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。这意味着1TB版虽然容量翻倍，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。但日常使用中多数用户难以感知。消费者在512GB和1TB之间选择时，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，缓存耗尽后，在混合读写测试中，

不过QLC的写入速度较慢，无法了解底层存储技术。缓存容量降至约58GB。

HOMOLAB测试显示，拍照、相比TLC的3位方案，数据直接写入QLC层，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，以50GB数据传输为例，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，